[发明专利]R－T－B系烧结磁体的制造方法在审
| 申请号： | 202111074295.3 | 申请日： | 2021-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN114334413A | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 村田刚志 | 申请（专利权）人： | 日立金属株式会社 |
| 主分类号： | H01F41/02 | 分类号： | H01F41/02;H01F1/057;B23D57/00 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;吕秀平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供不需要准备不活泼气氛的R－T－B系烧结磁体的制造方法。本发明的R－T－B系烧结磁体的制造方法包括：准备R－T－B系烧结磁体用合金的粉末的粉碎工序；使用上述粉末制作粉末成型体的成型工序；切断上述粉末成型体，分割成多个成型体片的切断工序；和对上述多个成型体片中的各个成型体片进行烧结，制作多个烧结体的烧结工序，上述切断工序包括通过行进的金属线材切断沉浸于液体中的上述粉末成型体的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 烧结 磁体 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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