[发明专利]复合烧结体、半导体制造装置构件及复合烧结体的制造方法有效
申请号: | 202111074760.3 | 申请日: | 2021-09-14 |
公开(公告)号: | CN114180942B | 公开(公告)日: | 2023-04-11 |
发明(设计)人: | 宫西启太;阿闭恭平;永井明日美;山口浩文;青柳宗一郎 | 申请(专利权)人: | 日本碍子株式会社 |
主分类号: | C04B35/10 | 分类号: | C04B35/10;C04B35/622 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 陈彦;郭玫 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: |
本发明提供复合烧结体、半导体制造装置构件及复合烧结体的制造方法。复合烧结体(20)具备以Al |
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搜索关键词: | 复合 烧结 半导体 制造 装置 构件 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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