[发明专利]可自动开合的半导体设备在审
申请号: | 202111075974.2 | 申请日: | 2021-09-14 |
公开(公告)号: | CN113802109A | 公开(公告)日: | 2021-12-17 |
发明(设计)人: | 刘祥;宋维聪;封拥军;崔世甲 | 申请(专利权)人: | 陛通半导体设备(苏州)有限公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C14/56 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 卢炳琼 |
地址: | 215413 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种可自动开合的半导体设备,包括腔体、盖体及自动开合装置,自动开合装置包括电机、减速机和传动部;盖体经旋转轴与腔体的顶部相连接,减速机的输入端与电机连接,输出端通过传动部与盖体相连接,传动部具有确定的传动比;通过电机的旋转驱动减速机和传动部,由此实现盖体的开合。本发明经巧妙设计的自动开合装置,控制盖体绕旋转轴旋转指定角度以实现盖体开合,可有效减少开闭盖体对设备造成的磨损,减少产品污染,且操作过程完全为机械自动操作,开盖操作不涉及设备的升温降温过程,有助于提高设备产出率。同时,由于盖体开闭的角度由开合装置进行控制,可以灵活调整开合角度,满足操作人员的不同需要。 | ||
搜索关键词: | 自动 半导体设备 | ||
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的