[发明专利]FLASH芯片烧写方法、装置及电子设备在审
| 申请号： | 202111076314.6 | 申请日： | 2021-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN113778472A | 公开（公告）日： | 2021-12-10 |
| 发明（设计）人： | 王小微;秦木金 | 申请（专利权）人： | 合肥芯颖科技有限公司 |
| 主分类号： | G06F8/61 | 分类号： | G06F8/61;G06F8/654 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 何少岩 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市蜀山区高新区*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种FLASH芯片烧写方法、装置及电子设备，该方法应用于显示驱动芯片，该显示驱动芯片与待烧写芯片相连；该待烧写芯片用于存储对应显示屏幕的显示缺陷的补偿数据；该方法包括：向该待烧写芯片发送编程指令和该补偿数据，以使该待烧写芯片在接收到该编程指令后，根据该编程指令中携带的编程起始地址，执行对该补偿数据的烧写操作，直至该补偿数据烧写完成；向该待烧写芯片发送读取指令，以根据读取结果确认该待烧写芯片的烧写结果。该方法通过显示驱动芯片对FLASH芯片进行烧写，简化了目前FLASH烧写方法操作过程，提高了FLASH芯片的烧写效率。 | ||
| 搜索关键词： | flash 芯片 方法 装置 电子设备 | ||
【主权项】：
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