[发明专利]一种具有抗氧化特性的高熵硅化物薄膜的原位合成方法有效
| 申请号： | 202111079326.4 | 申请日： | 2021-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN113789503B | 公开（公告）日： | 2023-08-22 |
| 发明（设计）人： | 胡俊华;冯南翔;曹国钦;杨非凡 | 申请（专利权）人： | 郑州大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06;C23C14/02;C23C14/54;C23C14/58 |
| 代理公司： | 郑州优盾知识产权代理有限公司 41125 | 代理人： | 张真真 |
| 地址： | 450001 河南*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种具有抗氧化特性的高熵硅化物薄膜的原位合成方法。步骤如下：将Ti，Nb，Mo，W，Al，Zr，Cr，Ta，V多元素靶材切割组合成溅射靶材1，将Si靶材组成溅射靶材2，将溅射靶材1与DC直流电源相连，溅射靶材2与RF射频电源相连，预溅射后采用共溅射的方法沉积多组元非晶硅化物薄膜；将得到的多组元非晶硅化物薄膜置于快速退火炉中，煅烧得到高熵硅化物薄膜。多组元非晶硅化物薄膜在高温下原位自转变形成均匀致密的高熵硅化物，具有良好的抗氧化效果。高的混合熵增强了元素间的互溶性，抑制了单独化合物的形成。并且结合多种金属与硅形成的高熵硅化物能阻止氧的内扩散进而减缓氧化腐蚀的速率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 氧化 特性 高熵硅化物 薄膜 原位 合成 方法 | ||
【主权项】：
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