[发明专利]场效应晶体管在审
| 申请号： | 202111079524.0 | 申请日： | 2015-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN113972279A | 公开（公告）日： | 2022-01-25 |
| 发明（设计）人： | 坂直树;冈元大作;田中秀树 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L23/482;H01L23/522;H01L23/528;H01L23/532;H01L23/535;H01L29/06;H01L29/417;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 李晗;曹正建 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种场效应晶体管，其包括：栅极电极；半导体层，所述半导体层具有把所述栅极电极夹在中间的源极区域和漏极区域；接触插塞，所述接触插塞被设置于所述源极区域和所述漏极区域上；第一金属部，所述第一金属部被堆叠在所述接触插塞上；以及低介电常数区域，所述低介电常数区域在所述半导体层的面内方向上被设置在位于所述第一金属部之间的区域中、且在堆叠方向上至少被设置在位于所述第一金属部的底面下方的第一区域中。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
暂无信息
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