[发明专利]一种控制硅片抛光表面微划伤的装置及工艺方法有效
| 申请号： | 202111079725.0 | 申请日： | 2021-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN113858020B | 公开（公告）日： | 2023-10-13 |
| 发明（设计）人： | 张森阳 | 申请（专利权）人： | 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | B24B29/02 | 分类号： | B24B29/02;B24B41/06;B24B47/00;B24B41/02;B24B47/12;B24B41/04;B24B55/06;B24B41/00;B08B11/00;H01L21/02 |
| 代理公司： | 杭州融方专利代理事务所(普通合伙) 33266 | 代理人： | 沈相权 |
| 地址： | 311201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种控制硅片抛光表面微划伤的装置及工艺方法，包括底座箱和上机箱，上机箱的中部串接有打磨箱，打磨箱的左侧开设有贯穿口，上机箱内腔的左侧设有定位挤压机构，本发明涉及硅片抛光技术领域。该控制硅片抛光表面微划伤的装置及工艺方法，通过第一电推杆带动边缘抛光机构下移，螺杆与边角抛光石螺旋转动，边角抛光石夹持在圆形硅片的两侧，适于多种规圆形硅片进行边角抛光，喷水头喷在圆形硅片上部的边缘，排水胶条接取喷水头处喷出冲洗的离子水，刮水胶条对圆形硅片下部吸附的研磨液进行刮除，避免杂质吸附和研磨液长时间腐蚀，影响抛光效果，抛光块对硅片的边缘的表面进行修复，更好的控制硅片表面的微划伤。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 控制 硅片 抛光 表面 划伤 装置 工艺 方法 | ||
【主权项】：
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