[发明专利]一种非静压条件下金属化的碲化锗制备及标定方法有效
| 申请号： | 202111086648.1 | 申请日： | 2021-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN113720891B | 公开（公告）日： | 2022-09-23 |
| 发明（设计）人： | 代立东;胡海英 | 申请（专利权）人： | 中国科学院地球化学研究所 |
| 主分类号： | G01N27/416 | 分类号： | G01N27/416;G01R27/02;C01B19/04 |
| 代理公司： | 贵阳中新专利商标事务所 52100 | 代理人： | 商小川 |
| 地址： | 550081 贵州*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种非静压条件下金属化的碲化锗制备及标定方法，分别在四柱型压机上下支撑块的合金钢和铍铜上开对称的圆孔；把金刚石置于安放在工装上的碳化钨底座上；将合金刚石下部与碳化钨底座固定；烘烤完后分别把两组金刚石和底座置于四柱型金刚石压腔高温高压实验设备上；预压T301不锈钢金属垫片；将将氮化硼和环氧树脂绝缘粉置入样品腔合上压机进行二次预压，将第二次预压后垫片样品腔用激光打孔机在中心钻出圆孔作为样品腔；将高纯度固体半导体碲化锗粉末作为初始物放入样品腔合上压机；加压至36.5GPa，并恒压3.0小时得到金属化的碲化锗；解决了现有技术制备金属相的碲化锗压力点不明确，标定不准确等技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 静压 条件下 金属化 碲化锗 制备 标定 方法 | ||
【主权项】：
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