[发明专利]一种基于电子古斯汉欣位移的界面特性测量方法有效
| 申请号： | 202111087821.X | 申请日： | 2021-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN113884031B | 公开（公告）日： | 2023-05-02 |
| 发明（设计）人： | 钟菊莲;许坤远;程受广 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | G01B11/30 | 分类号： | G01B11/30;G01B11/06;G01B11/24;H01L21/66 |
| 代理公司： | 广州骏思知识产权代理有限公司 44425 | 代理人： | 吴静芝 |
| 地址： | 510006 广东省广州市番禺区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于电子古斯汉欣位移的界面特性测量方法，包括：S1：选取不同界面特性的定标样品；S2：将电子波包入射所述多个定标样品，在其界面上进行反射并产生古斯汉欣位移现象；S3：测量步骤S2界面反射后的不同输出位置和/或电子古斯汉欣位移；S4：建立界面特性与输出位置和/或电子古斯汉欣位移的对应关系；S5：将电子波包以相同的初始状态入射待测器件，测量在其界面反射后的输出位置和/或电子古斯汉欣位移；S6：将步骤S5测得的输出位置和/或电子古斯汉欣位移代入步骤S4建立的对应关系，确定所述待测器件的界面特性。本发明可测量固体内部界面，且可测量纳米级别的界面，用于检验批量生产的纳米器件，思路简单，易操作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 电子 古斯汉欣 位移 界面 特性 测量方法 | ||
【主权项】：
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