[发明专利]基于硅光子的具有N掺杂有源层的半导体光放大器在审
| 申请号： | 202111089145.X | 申请日： | 2021-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN114284863A | 公开（公告）日： | 2022-04-05 |
| 发明（设计）人： | 何晓光;R·L·纳加拉詹 | 申请（专利权）人： | 马维尔亚洲私人有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/10 | 分类号： | H01S5/10;H01S5/20;H01S5/323 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 郑振 |
| 地址： | 新加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
一种用于高功率操作的半导体光放大器，包括具有多层结构的增益介质，在其横截面中从上部到下部依次布置有P层、有源层、N层。增益介质从正面到背面以长度L延伸。有源层包括未掺杂半导体材料形成的多个阱层和n掺杂半导体材料形成的多个势垒层。每个阱层被一对势垒层夹在中间。正面的特征在于第一反射率Rf，而背面的特征在于第二反射率Rb。增益介质的镜面损耗α |
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| 搜索关键词： | 基于 光子 具有 掺杂 有源 半导体 放大器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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