[发明专利]一种离子阱芯片的制备方法、离子阱芯片和量子计算机有效
| 申请号： | 202111090075.X | 申请日： | 2021-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN113555503B | 公开（公告）日： | 2021-12-21 |
| 发明（设计）人： | 王涛;熊康林;冯加贵;崔志远;郭丰 | 申请（专利权）人： | 材料科学姑苏实验室 |
| 主分类号： | H01L49/00 | 分类号： | H01L49/00;H01J3/00;G06N10/00 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种离子阱芯片的制备方法、离子阱芯片和量子计算机，制备方法包括：提供衬底；在衬底的一侧形成包括多层导电层和多层介质层的层叠结构；刻蚀层叠结构形成至少两个第一开口，于第一开口中形成牺牲层；于层叠结构远离衬底的一侧形成第一光刻胶层并进行图案化；图案化后的第一光刻胶层包括第二开口，第二开口暴露位于相邻两个第一开口之间待刻蚀的层叠结构；刻蚀位于相邻两个第一开口之间待刻蚀的层叠结构，形成第三开口；沿垂直于衬底的方向，第一开口的深度大于第三开口的深度；去除牺牲层以形成囚禁离子的离子阱区，使得层叠结构中不同尺寸孔对位精确，保证了芯片电磁场的分布以及囚禁离子的势阱，提高了芯片的工作性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 离子 芯片 制备 方法 量子 计算机 | ||
【主权项】：
暂无信息
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