[发明专利]叠层电池及叠层电池制备方法在审
申请号: | 202111093366.4 | 申请日: | 2021-09-17 |
公开(公告)号: | CN113948546A | 公开(公告)日: | 2022-01-18 |
发明(设计)人: | 吴瑶;王彩霞;墙子跃;高翔;赵晓霞;张天艺;田宏波;王伟;宗军 | 申请(专利权)人: | 国家电投集团科学技术研究院有限公司 |
主分类号: | H01L27/30 | 分类号: | H01L27/30;H01L31/0216;H01L31/054;H01L31/18;H01L51/42;H01L51/48 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 蒋松 |
地址: | 102209 北京市昌平区未来科技城国*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种叠层电池及叠层电池制备方法,所述叠层电池包括顶电池和底电池,所述底电池包括底电极、衬底、绝缘体、复合结和多个硅纳米柱,所述底电极包括沿第一方向相对设置的第一表面和第二表面,所述衬底设在所述底电极的所述第一表面上,所述复合结位于衬底在第一方向上远离所述底电极的一侧,且复合结与衬底在所述第一方向上间隔开,所述硅纳米柱的部分在第一方向上位于衬底和复合结之间,多个所述硅纳米柱呈矩阵式布置;所述顶电池包括沿所述第一方向层叠设置的空穴传输层、钙钛矿层、电子传输层、透明导电层和金属栅线电极,所述空穴传输层设在所述复合结上。本发明的底电池具有对光的吸收率高、适于柔性制造的优点。 | ||
搜索关键词: | 电池 制备 方法 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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