[发明专利]一种抑制GaN HEMT半桥串扰导通和门级反向过压的驱动电路及其控制方法在审

专利信息
申请号: 202111093950.X 申请日: 2021-09-17
公开(公告)号: CN113991996A 公开(公告)日: 2022-01-28
发明(设计)人: 肖龙;詹荣花;李岩;连和谬;吴正炀;周秀敏 申请(专利权)人: 闽南理工学院
主分类号: H02M1/38 分类号: H02M1/38;H02M1/08;H02M1/32
代理公司: 泉州劲翔专利事务所(普通合伙) 35216 代理人: 王光燕
地址: 362000 *** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明涉及电力电子领域,尤其是涉及的是一种抑制GaN HEMT半桥串扰导通和门级反向过压的驱动电路,该上桥臂电路包括第一驱动电路、第一低阻抗桥臂串扰抑制电路,该下桥臂电路包括第二驱动电路、第二低阻抗桥臂串扰抑制电路。该电路从减小处于关断状态的GaNHEMT门级关断回路阻抗的角度出发,在不影响GaN HEMT正常关断速度和不采用负压关断增加反向过压的前提下,抑制了门级反向过冲的产生。
搜索关键词: 一种 抑制 gan hemt 半桥串扰导通 反向 驱动 电路 及其 控制 方法
【主权项】:
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