[发明专利]一种异相结CdS纳米线的制备方法

摘要

本发明提供了一种异相结CdS纳米线的制备方法，异相结CdS纳米线包括六方相CdS结晶和立方相CdS结晶。制备方法包括配置乙二胺溶液；将氯化镉原料和升华硫分别加入乙二胺溶液中形成第一反应液和第二反应液；将第一反应液滴入第二反应液中，搅拌形成第三反应液；向第三反应液中加入H2O2溶液，搅拌形成CdS前驱体溶液；CdS前驱体溶液置于反应釜中进行热反应，冷却至室温获得异相结CdS纳米线粗品；分离、水洗、醇洗、干燥后获得异相结CdS纳米线成品。本发明制备的异相结CdS纳米线能够实现载流子在界面处的定向分离，能大幅提高光催化降解效率和压电光催化降解效率，且制备方法操作简单高效，成本低廉，适于大批量生产。