[发明专利]与半导体集成电路CMOS工艺兼容的芯片结构及其制备方法有效
| 申请号： | 202111095750.8 | 申请日： | 2021-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN113551782B | 公开（公告）日： | 2021-12-28 |
| 发明（设计）人： | 刘伟;马仁旺;王鹏;郭得福;欧秦伟 | 申请（专利权）人： | 西安中科立德红外科技有限公司 |
| 主分类号： | G01J5/20 | 分类号： | G01J5/20;G01J1/42;H01L31/18;H01L31/113 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 宋兴;臧建明 |
| 地址： | 710117 陕西省西安市高*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提供一种与半导体集成电路CMOS工艺兼容的芯片结构及其制备方法，与半导体集成电路CMOS工艺兼容的芯片结构包括衬底、电路处理模块、微桥结构和悬垂电极组；悬垂电极组包括间隔设置的第一悬垂电极和第三悬垂电极，第一悬垂电极和第三悬垂电极均沿第一方向延伸，第一方向与微桥结构垂直，第三悬垂电极包括沟道层、源电极和漏电极，源电极和漏电极位于沟道层沿第一方向的相对两侧，第一悬垂电极作为第一栅电极，与沟道层相对设置。本发明在芯片内形成空气隙晶体管，提升对红外光强度感应的灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 cmos 工艺 兼容 芯片 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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