[发明专利]纳米级硅化物和Laves相增强难熔高熵合金材料及其制备方法有效
| 申请号： | 202111096394.1 | 申请日： | 2021-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN113862542B | 公开（公告）日： | 2023-02-03 |
| 发明（设计）人： | 马兆龙;刘宸毓;徐子祁;程兴旺 | 申请（专利权）人： | 北京理工大学 |
| 主分类号： | C22C30/00 | 分类号： | C22C30/00;C22C27/02;C22F1/18;C22C32/00 |
| 代理公司： | 北京正阳理工知识产权代理事务所(普通合伙) 11639 | 代理人： | 邬晓楠 |
| 地址： | 100081 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种纳米级硅化物和Laves相增强难熔高熵合金材料及其制备方法，属于高熵合金领域。该新型合金由Nb、Ti、Ta、Cr、Al、V、Si、Mo等元素构成，铸态条件下该合金为单相BCC结构，通过冷变形及后续的热处理方法对该合金进行处理，获得具有大量弥散分布的纳米级M5Si3相和Laves相。该合金的密度≤8g/cm |
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| 搜索关键词： | 纳米 级硅化物 laves 增强 难熔高熵 合金材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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