[发明专利]提升FinFET的交流性能的结构和方法在审
| 申请号： | 202111097920.6 | 申请日： | 2021-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN114093946A | 公开（公告）日： | 2022-02-25 |
| 发明（设计）人： | 李勇 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提升FinFET的交流性能的结构，FinFET的栅极结构覆盖在鳍体的顶部表面和侧面；栅极结构上设置有缺口，缺口设置在位于鳍体侧面的栅极结构的侧面上；在垂直鳍体的侧面方向上，缺口具有顶部表面、底部表面和侧面；通过缺口使栅极结构所覆盖的区域减少以减少寄生电容并从而提升FinFET的交流性能；缺口的宽度、纵向范围和位置高度设置为保证FinFET的直流特性满足要求。本发明还公开了一种提升FinFET的交流性能的方法。本发明能提升器件的交流性能，同时使器件的直流性能满足要求。 | ||
| 搜索关键词： | 提升 finfet 交流 性能 结构 方法 | ||
【主权项】：
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