[发明专利]一种可增强通流能力的单向ESD保护器件及其制作方法在审
| 申请号： | 202111105478.7 | 申请日： | 2021-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN113690233A | 公开（公告）日： | 2021-11-23 |
| 发明（设计）人： | 宋文龙;杨珏琳;张鹏;许志峰 | 申请（专利权）人： | 成都吉莱芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L29/06;H01L21/77 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 查鑫利 |
| 地址： | 610096 四川省成都市自由贸易试*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种可增强通流能力的单向ESD保护器件及其制作方法，包括P型单晶材料、N+扩散区、P+扩散区、P扩散区、表面钝化层、金属层Ⅰ、金属层Ⅱ，其中P扩散区在金属层Ⅰ下方N+扩散区至金属层Ⅱ下方N+扩散区之间浓度逐渐降低，本发明在P扩散区光刻窗口的设计中，窗口的尺寸依次可以命名为：L1、L2、L3、L4、L5，窗口间距的尺寸依次可以命名为：D1、D2、D3、D4，L5L4L3L2L1，D1D2D3D4，从而获P扩散区，从N+扩散区（金属层Ⅱ下方）到N+扩散区（金属层Ⅰ下方），P扩散区的浓度逐渐降低，形成由左至右的内建电场，从而可以获得更高的通流能力，通过合理设计P扩散区的光刻窗口尺寸，与常规结构相比，本发明的通流能力可以比常规结构提高20‑40%。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 增强 通流 能力 单向 esd 保护 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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