[发明专利]半导体器件在审

专利信息
申请号: 202111105617.6 申请日: 2021-09-22
公开(公告)号: CN114256262A 公开(公告)日: 2022-03-29
发明(设计)人: 李珍秀;蔡弘植;金润洙;金泰均;曹仑廷 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L27/11524 分类号: H01L27/11524;H01L27/11529;H01L27/11548;H01L27/11556;H01L27/11568;H01L27/11573;H01L27/11575;H01L27/11582
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 弋桂芬
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供一种半导体器件,该半导体器件包括:多个半导体图案,在第一方向上间隔开;多个模制绝缘层,在所述多个半导体图案之间;多个硅化物图案,接触所述多个半导体图案;以及多个第一金属导电膜,在所述多个模制绝缘层之间并连接到相应的硅化物图案,其中每个硅化物图案包括面对半导体图案的第一侧壁和面对第一金属导电膜的第二侧壁,硅化物图案的第一侧壁和硅化物图案的第二侧壁在第一方向上延伸,硅化物图案的第一侧壁和硅化物图案的第二侧壁是弯曲表面。
搜索关键词: 半导体器件
【主权项】:
暂无信息
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