[发明专利]一种波导边缘集成耦合器及其制备方法在审
| 申请号： | 202111105651.3 | 申请日： | 2021-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN113900181A | 公开（公告）日： | 2022-01-07 |
| 发明（设计）人： | 顾文华;李雄飞;疏静;桂桑;韩明玺;王雷 | 申请（专利权）人： | 南京理工大学 |
| 主分类号： | G02B6/124 | 分类号： | G02B6/124;G02B6/14;G02B6/126;G02B6/13 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人： | 薛云燕 |
| 地址： | 210094 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种波导边缘集成耦合器及其制备方法。耦合器结构包括PIC器件平台、SOI波导结构和硅微透镜；光线在PIC器件平台经SOI波导结构传输并出射，硅微透镜对光束进行模斑转换，改变光线轨迹并限制光线入射纤芯的角度，然后光线经空间传播后入射单模光纤纤芯。耦合器制备方法分为四个步骤，首先，设计并仿真SOI结构，得到波导出射的模式特性；其次，对透镜参数进行设计；接着，将耦合器与单模光纤进行联合仿真，得到理论耦合效率；最后，根据设计完成耦合结构制作，经实际的有源测试结果完成优化，确定最终参数和耦合方案。相比于分立式耦合，该耦合器的整体结构可在集成光路芯片平台集成，工艺简单，便于封装。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 波导 边缘 集成 耦合器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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