[发明专利]半导体装置在审
申请号: | 202111105778.5 | 申请日: | 2021-09-22 |
公开(公告)号: | CN114267725A | 公开(公告)日: | 2022-04-01 |
发明(设计)人: | 曾根田真也;原田健司;大塚翔瑠 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H01L29/08 | 分类号: | H01L29/08;H01L29/417;H01L27/06 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 何立波;张天舒 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: |
本发明涉及半导体装置,其目的在于,在RC‑IGBT中确保动作区域,并且降低恢复损耗。在RC‑IGBT(100、101)的俯视观察时,边界区域(50)的单位面积中的n |
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搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
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