[发明专利]半导体装置在审

专利信息
申请号: 202111105778.5 申请日: 2021-09-22
公开(公告)号: CN114267725A 公开(公告)日: 2022-04-01
发明(设计)人: 曾根田真也;原田健司;大塚翔瑠 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H01L29/08 分类号: H01L29/08;H01L29/417;H01L27/06
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 何立波;张天舒
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及半导体装置,其目的在于,在RC‑IGBT中确保动作区域,并且降低恢复损耗。在RC‑IGBT(100、101)的俯视观察时,边界区域(50)的单位面积中的n+型源极层(13)的占有比率比IGBT区域(10)的单位面积中的n+型源极层(13)的占有比率小,边界区域(50)的单位面积中的p+型接触层(14)的占有比率比IGBT区域(20)的单位面积中的p+型接触层(14)的占有比率小。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三菱电机株式会社,未经三菱电机株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202111105778.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top