[发明专利]半导体元件及其制备方法在审
| 申请号： | 202111106345.1 | 申请日： | 2021-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN114744040A | 公开（公告）日： | 2022-07-12 |
| 发明（设计）人： | 周益贤 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开提供一种具有多个临界电压的半导体元件以及具有所述临界电压的该半导体元件的制备方法。该半导体元件具有一基底；一第一栅极结构，位在该基底中并具有一第一深度以及一第一临界电压；以及一第二栅极结构，位在该基底中并具有一第二深度以及一第二临界电压。该第一深度大于该第二深度，以及该第一临界电压不同于该第二临界电压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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