[发明专利]用于形成MRAM应用中使用的具有期望的结晶度的结构的方法在审
| 申请号： | 202111107385.8 | 申请日： | 2016-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN113851581A | 公开（公告）日： | 2021-12-28 |
| 发明（设计）人： | 薛林;安在洙;M·帕卡拉;程志康;汪荣军 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 侯颖媖;张鑫 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种用于形成MRAM应用中使用的具有期望的结晶度的结构的方法。本公开的实施方式提供用于在基板上制造自旋转移扭矩磁阻式随机存取存储器(STT‑MRAM)应用中使用的磁隧道结(MTJ)结构的方法和装置。在一个实施方式中，所述方法包括：将设置在基板上的具有隧穿阻挡层设置在磁基准层与磁存储层之间的膜堆叠体图案化，以将所述膜堆叠体的一部分从所述基板上去除，直到暴露所述基板的上表面；在经图案化的膜堆叠体的侧壁上形成侧壁钝化层；以及随后对所述膜堆叠体执行热退火工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 mram 应用 使用 具有 期望 结晶度 结构 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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