[发明专利]一种高密度HATN@MXene柔性自支撑薄膜电极的制备方法及其应用有效
| 申请号： | 202111107561.8 | 申请日： | 2021-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN113839001B | 公开（公告）日： | 2022-09-30 |
| 发明（设计）人： | 施敏杰;徐静;朱航天;何静;晏超 | 申请（专利权）人： | 江苏科技大学 |
| 主分类号： | H01M4/02 | 分类号： | H01M4/02;H01M4/04;H01G11/22;H01G11/86 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 郭俊玲 |
| 地址： | 212003*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明是一种高密度HATN@MXene柔性自支撑薄膜电极的制备方法及其应用，制备方法包括如下步骤：通过脱水缩合制备得到纳米棒状的HATN；制备MXene纳米片分散液；接着将纳米棒状的HATN加入到MXene纳米片分散液中，在超声作用下得到混合分散溶液；最后通过真空抽滤得到高密度HATN@MXene柔性自支撑薄膜电极。本发明制备过程操作简单，成本低廉，制备的薄膜电极具有环境友好、良好的柔韧性、高振实密度、以及优异的电化学性能等特点，可广泛用于水系电池、超级电容器或柔性储能设备等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高密度 hatn mxene 柔性 支撑 薄膜 电极 制备 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
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