[发明专利]一种Cu/SiO2有效

专利信息
申请号: 202111108563.9 申请日: 2021-09-22
公开(公告)号: CN113930634B 公开(公告)日: 2022-08-12
发明(设计)人: 张锐;关莉;王海龙;白爽;李明亮;高前程;张新月;李纪鹏;李哲;赵云龙;范冰冰 申请(专利权)人: 郑州航空工业管理学院
主分类号: C22C1/05 分类号: C22C1/05;C22C9/00;B22F3/14;C22C32/00;C01G3/02;C01B32/956;C01B33/158
代理公司: 郑州豫原知识产权代理事务所(普通合伙) 41176 代理人: 轩丽杰
地址: 450046 河南*** 国省代码: 河南;41
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摘要: 发明属于金属基复合材料技术领域,公开一种Cu/SiO2‑Cu2O/SiC金属基复合材料及其制备方法,所述制备方法包括在SiC粉体表面包覆SiO2‑Cu2O复合物,制得SiC/SiO2‑Cu2O复合气凝胶,随后向所述复合气凝胶中加入Cu粉,混合均匀后将其于800~950℃温度下进行热压烧结,即获得金属基复合材料;其中,所述Cu粉体与所述SiC/SiO2‑Cu2O复合气凝胶的体积比为1:0.01~0.2。本发明采用SiO2‑Cu2O作为Cu与SiC界面过渡相,通过调控界面结构减小SiC与Cu润湿角,改善界面结合状态、力学性能及电学性能;且本发明的Cu/SiO2‑Cu2O/SiC金属基复合材料硬度最高达到1.4GPa;0~200℃电导率不随测试温度改变而变化,200~400℃电导率随测试温度的增加而缓慢增加,400~900℃电导率随测试温度的增加而急剧增加。
搜索关键词: 一种 cu sio base sub
【主权项】:
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