[发明专利]一种磁控拉单晶超导磁体及磁屏蔽方法在审
| 申请号： | 202111109028.5 | 申请日： | 2021-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN113838626A | 公开（公告）日： | 2021-12-24 |
| 发明（设计）人： | 刘伟;李超;马鹏;张弛;李勇;葛正福;兰贤辉;冯勇;刘向宏;张平祥 | 申请（专利权）人： | 西安聚能超导磁体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01F6/00 | 分类号： | H01F6/00;H01F27/36;H01F41/00 |
| 代理公司： | 西安鼎迈知识产权代理事务所(普通合伙) 61263 | 代理人： | 刘喜保 |
| 地址： | 710018 陕西省西安市经济技术*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种磁控拉单晶超导磁体，包括屏蔽结构和超导线圈。屏蔽结构包括磁屏蔽铁轭上板、磁屏蔽铁轭下板和磁屏蔽铁轭筒体，磁屏蔽铁轭上板和磁屏蔽铁轭下板分别连接在磁屏蔽铁轭筒体的两端，磁屏蔽铁轭筒体为多层结构。超导线圈设置在磁屏蔽结构内部。本发明采用多层优化过的磁屏蔽结构，在节约电工纯铁的基础上，进一步降低磁体的漏磁，从而满足磁控拉单晶用超导磁体周围电气设备的安全、稳定运行。同时单层磁屏蔽结构的厚度也较小，可以降低因单层较厚电工纯铁磁屏蔽结构造成的磁屏蔽与超导线圈之间的电磁作用力过大，诱发的磁体运行稳定性问题的风险，提高磁控拉单晶用超导磁体的稳定性，保证生产效率及稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁控拉单晶 超导 磁体 屏蔽 方法 | ||
【主权项】：
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