[发明专利]双转换增益图像传感器及其制作方法在审
申请号: | 202111109036.X | 申请日: | 2021-09-22 |
公开(公告)号: | CN113937119A | 公开(公告)日: | 2022-01-14 |
发明(设计)人: | 饶金华;肖海波;慎邦威 | 申请(专利权)人: | 豪威科技(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L23/64 |
代理公司: | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人: | 冯启正 |
地址: | 201210 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种双转换增益图像传感器。该双转换增益图像传感器包括半导体衬底,该半导体衬底包括相互隔离的第一有源区和第二有源区;浮置扩散区域设置于第一有源区中;辅助电容设置于第二有源区,用于调节浮置扩散区域的转换增益;其中,在第二有源区的半导体衬底中开设有若干条沟槽,该沟槽的内表面覆盖有介电层,辅助电容的上极板覆盖介电层且填充每条沟槽,与辅助电容的上极板相对的半导体衬底作为辅助电容的下极板。辅助电容的上极板填充每条沟槽,可以提高辅助电容的电容值,从而能够满足图像传感器更大的像素满阱容量的需求,提高图像传感器的动态范围。本发明还提供该双转换增益图像传感器的制作方法。 | ||
搜索关键词: | 转换 增益 图像传感器 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的