[发明专利]一种反常霍尔元件及其制备方法有效
| 申请号： | 202111109797.5 | 申请日： | 2021-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN113571632B | 公开（公告）日： | 2021-12-10 |
| 发明（设计）人： | 程雅慧;李岩;张瑞;陈菲菲;刁凌雪;刘晖 | 申请（专利权）人： | 南开大学 |
| 主分类号： | H01L43/06 | 分类号： | H01L43/06;H01L43/10;H01L43/04;H01L43/14;C30B23/04;C30B29/52;C23C14/04;C23C14/16;C23C14/35 |
| 代理公司： | 天津翰林知识产权代理事务所(普通合伙) 12210 | 代理人： | 付长杰 |
| 地址： | 300350 天*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种反常霍尔元件及其制备方法，以在单晶MgO（100）上外延生长的Fe、Cr共掺杂的单晶Ni薄膜作为活性层材料，活性层形状为“十”字形，薄膜厚度为2nm~30 nm,采用离子束沉积法生长。本发明的微型反常霍尔元件具有较小的体积，较大的反常霍尔电阻率，较小的电阻率和功耗，较宽的工作温度范围，在磁电信号转换等领域有广泛的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 反常 霍尔 元件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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