[发明专利]大张角发光二极管芯片及其制造方法有效
| 申请号： | 202111111348.4 | 申请日： | 2021-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN114093997B | 公开（公告）日： | 2023-06-09 |
| 发明（设计）人： | 兰叶;王江波;朱广敏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/46;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种大张角发光二极管芯片及其制造方法，属于半导体技术领域。该大张角发光二极管芯片的绝缘层包括依次层叠的钝化层和分布式布拉格反射层，所述钝化层为氧化硅层，所述分布式布拉格反射层包括交替层叠的氧化硅层和氧化钛层；所述钝化层的与所述分布式布拉格反射层接触的一面上具有多个凹槽，每个所述凹槽的底面均为斜面，且所述斜面的倾斜角度为α，20°≤α≤40°。该大张角发光二极管芯片可以提高侧向光的比例，增大LED芯片的张角并获得良好的光形。 | ||
| 搜索关键词： | 张角 发光二极管 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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