[发明专利]碲锌镉晶体的生长方法有效
| 申请号： | 202111113938.0 | 申请日： | 2021-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN113818086B | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | 狄聚青;李康;苏湛 | 申请（专利权）人： | 安徽光智科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/48 | 分类号： | C30B29/48;C30B11/00 |
| 代理公司： | 北京五洲洋和知识产权代理事务所(普通合伙) 11387 | 代理人： | 张向琨 |
| 地址： | 239004 安徽省滁州市琅琊区琅琊经济*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本公开提供一种碲锌镉晶体的生长方法，其包括步骤：步骤一，将碲锌镉多晶块中封入镉粒；步骤二，将多个封入有镉粒的碲锌镉多晶块装入坩埚中；步骤三，对坩埚中的所述多个封入有镉粒的碲锌镉多晶块施加中频感应，直至坩埚中全部封入有镉粒的碲锌镉多晶块熔化，以形成熔体；步骤四，维持对熔体施加中频感应，采用坩埚下降法开始晶体生长直到晶体生长结束；步骤五，晶体生长结束后，停止中频感应，降温至室温并取出碲锌镉晶体。碲锌镉多晶电阻率很高，塞入的镉粒在中频感应下熔化、升温并熔化附近的碲锌镉多晶，产生碲锌镉熔体，进而熔体对流被增强，能够获得单晶比例高位错密度地的高质量的碲锌镉晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 碲锌镉 晶体 生长 方法 | ||
【主权项】：
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