[发明专利]氮化镓温度传感器及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 202111114273.5 | 申请日： | 2021-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN113847996A | 公开（公告）日： | 2021-12-28 |
| 发明（设计）人： | 刘泽文;孙剑文 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | G01K7/01 | 分类号： | G01K7/01 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 吴婷 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了氮化镓温度传感器及其制备方法和应用。其中，该氮化镓温度传感器包括氮化镓层、隧穿层、阴极和阳极，所述隧穿层设在所述氮化镓层的至少一部分表面上，所述隧穿层上设有电极孔；所述阴极设在所述电极孔中并与所述氮化镓层接触；所述阳极设在所述隧穿层的部分表面上，所述阳极不与所述阴极接触。该温度传感器采用金属‑隧穿层‑氮化镓新型结构，利用载流子在受热激发后隧穿通过隧穿层的概率增大的原理，即热致隧穿效应，通过检测隧穿电流的大小实现对温度的检测和传感，具有耐高温、高线性度和高灵敏度的优势，可以更好的满足大功率、高温等应用场景的测温需求。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 温度传感器 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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