[发明专利]一种常温状态下试件损伤部位发射率测量装置及方法在审
| 申请号： | 202111114622.3 | 申请日： | 2021-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN114113192A | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 李益文;姜迪凯;化为卓;陈戈;李玉琴;赵志宇;邰会强;焦朝强;张浦幼森;王彦丰 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军空军工程大学 |
| 主分类号： | G01N25/00 | 分类号： | G01N25/00;G01J5/00;G01J5/48;G01K7/16 |
| 代理公司： | 广东省中源正拓专利代理事务所(普通合伙) 44748 | 代理人： | 王明亮 |
| 地址： | 710000 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种常温状态下试件损伤部位发射率测量装置及方法，属于发射率测量技术领域，用于提供克服常用测试手段简单且测量精确不够精确的问题。通过红外热像仪接收被测物体表面的辐射来确定被测部位的红外发射率，解决了测量计算红外发射率操作复杂的难题，提高了测量效率。利用红外热像仪细化了试件表面损伤部位的发射率分布情况，解决了测量损伤部位发射率粗糙的难题，可以得到损伤部位不同位置的发射率测量结果，提高了发射率的可探测性。由辐射温度与真实温度的关系式，推出热像仪测量目标发射率计算公式，利用保护罩遮挡降低了背景辐射影响，多点测试取平均值降低了偶然误差，测量得到的发射率结果误差在5％之内。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 常温 状态 下试件 损伤 部位 发射 测量 装置 方法 | ||
【主权项】：
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