[发明专利]具有分离栅结构的RET IGBT器件结构及制作方法有效
| 申请号： | 202111116107.9 | 申请日： | 2021-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN113838914B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 张金平;肖翔;尹俊博;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L29/739;H01L21/28;H01L21/331 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有分离栅结构的RET IGBT器件结构及制作方法，通过在N型电荷存储层下方引入P型埋层，在P型埋层左侧引入N型埋层，消除了高浓度P型埋层对器件阈值电压的影响，电子电流可以通过N型埋层流入N型漂移区，不会影响器件的通态特性。本发明通过将栅电极分裂为上下两部分，上部分作为栅极，下部分与发射极连接，分离栅结构降低了米勒电容Cgc，进而降低了开关损耗。同时，分离栅底部的氧化层厚度可以进一步提高，或使用高介电常数的介质材料，可以改善沟槽底部电场集中，提升器件的可靠性。当器件关断时PMOS的开启为空穴提供了一条额外的抽取通路，加快了电流的关断。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 分离 结构 ret igbt 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
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