[发明专利]一种降低正向开启电压的肖特基二极管有效
| 申请号： | 202111116527.7 | 申请日： | 2021-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN113851544B | 公开（公告）日： | 2022-06-10 |
| 发明（设计）人： | 周勇 | 申请（专利权）人： | 先之科半导体科技（东莞）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 东莞市永桥知识产权代理事务所(普通合伙) 44400 | 代理人： | 何新华 |
| 地址： | 523430 广东省东莞*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种降低正向开启电压的肖特基二极管，包括阴极金属层、N型硅衬底、N‑硅外延层、阳极金属层、二氧化硅钝化层；所述阳极金属层下端依次设有n个沟槽，n为大于等于3的奇数；第(n+1)/2个所述沟槽与所述N型硅衬底之间形成的压降大于其余的所述沟槽与所述N型硅衬底之间形成的压降；第1个所述沟槽至第(n+1)/2沟槽沿水平面方向的投影面积逐渐减小，第(n+1)/2个所述沟槽至第n个所述沟槽沿水平面方向的投影面积逐渐增大。本发明提供一种降低正向开启电压的肖特基二极管，能够解决普通肖特基二极管出现的反向漏电电流大、正向击穿电压大问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 正向 开启 电压 肖特基 二极管 | ||
【主权项】：
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