[发明专利]一种绝缘栅双极型晶体管及其制作方法在审
| 申请号： | 202111118333.0 | 申请日： | 2021-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN115842049A | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 李巍;芮强 | 申请（专利权）人： | 无锡华润华晶微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 田婷 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种绝缘栅双极型晶体管及其制作方法，该晶体管包括基底、沟槽栅结构、发射区、绝缘埋层、接触区、层间介质层、发射极导电层及导电连接部，其中，基底设有依次层叠的集电区、场截止层、漂移层及基区，绝缘埋层位于基区内且在发射区下方，并与沟槽栅结构间隔预设距离。本发明一方面通过在发射区下方增加绝缘埋层，阻挡空穴电流流经发射区和基区，从而使得PN结正偏变得非常困难，防止PN结正偏带来的闩锁效应；另一方面通过贯穿绝缘埋层的接触孔，使得发射极导电层连接至P型基区形成槽型发射极，深槽发射极可以缩短空穴流经路径，加速抽取空穴，实现良好的关断特性。所以本发明不仅可以提升IGBT的抗闩锁能力，而且还能提升器件的关断能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘 栅双极型 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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