[发明专利]硅基板上解键合SiC片方法在审
| 申请号： | 202111119932.4 | 申请日： | 2021-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN113948459A | 公开（公告）日： | 2022-01-18 |
| 发明（设计）人： | 严立巍;符德荣;李景贤 | 申请（专利权）人： | 浙江同芯祺科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/673 |
| 代理公司： | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人： | 华枫 |
| 地址： | 312000 浙江省绍兴*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出了一种硅基板上解键合SiC片方法。包括：S100：将键合有多片SiC片的硅基板翻转，使SiC片朝向石墨托盘并嵌入石墨托盘；S200：向硅基板喷洒蚀刻液，使多片SiC片与硅基板解键合；S300：移除解键合后的硅基板，并使多片SiC留置于石墨托盘。根据本发明提出的的硅基板上解键合SiC片方法，通过将SiC片对准并嵌入石墨盘，利用石墨盘耐高温的性质，便于后续对SiC片进行高温退火等工艺，另外，通过蚀刻液以化学蚀刻的方式进行解键合，避免了对SiC片的表面损伤，有助于提高SiC器件的良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 硅基板上解键合 sic 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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