[发明专利]制备三维存储器的方法

摘要

本申请涉及一种制备三维存储器的方法及三维存储器。所述方法包括：在晶圆的第一表面上形成栅极堆叠结构、以及覆盖栅极堆叠结构的绝缘材料层，其中，栅极堆叠结构包括交替堆叠的层间绝缘层和栅极层，并且被划分成台阶区和核心区，栅极堆叠结构的核心区中贯穿有沟道结构；在绝缘材料层上形成第一应力补偿层；以及贯穿第一应力补偿层和绝缘材料层形成电连接到沟道结构或栅极层的多个连接柱。第一应力补偿层由具有高压缩应力的材料形成。通过在晶圆的正面形成具有高压缩应力的应力补偿层，可以有效防止晶背上的应力补偿层厚度过大，减小被剥离或脱落的风险，并且可以改善晶圆上的半导体器件的内应力。