[发明专利]一种图案化方法、图案化结构及半导体器件在审
| 申请号： | 202111123390.8 | 申请日： | 2021-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN115863152A | 公开（公告）日： | 2023-03-28 |
| 发明（设计）人： | 王凡;盖文超;曾伟雄 | 申请（专利权）人： | 芯恩（青岛）集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人： | 高园园 |
| 地址： | 266500 山东省青岛*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种图案化方法、图案化结构及半导体器件，图案化方法包括：提供一衬底；在衬底的一表面形成图形外延诱导结构，图形外延诱导结构包括第一间隔和由第一间隔间隔开的第一凸起，第一凸起的材料为嵌段共聚物；在第一间隔内填充诱导层，并对形成第一凸起的嵌段共聚物进行定向自组装，以形成多个改质区域；选择性去除嵌段共聚物中的部分改质区域，以形成图案化结构，图案化结构的间隔尺寸与第一间隔的尺寸相同。本发明中的图案化方法及结构能够在应用于生产半导体器件时，提高半导体器件的空间利用率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 图案 方法 结构 半导体器件 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
