[发明专利]一种半垂直GaN基逆导型IGBT器件及其制备方法有效
| 申请号： | 202111124189.1 | 申请日： | 2021-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN114023815B | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | 张鹏;王凯;马晓华;郝跃;李萌迪 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L29/10;H01L21/331 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 王萌 |
| 地址： | 710000 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半垂直GaN基逆导型IGBT器件及其制备方法，该器件包括：衬底，依次设置在衬底上的缓冲层、场截止层、n‑漂移区及p型GaN层；其中，p型GaN层两侧各设有一深沟槽结构，深沟槽结构起始于p型GaN层上表面，向下延伸至场截止层上表面，以将p型GaN层划分成两侧的p+集电区和中间的p基区，从而形成U型半垂直结构；p基区上方设有n+GaN层，作为器件的n+发射区；n+GaN层中间设有沟槽栅结构；p+集电区内靠近深沟槽结构一侧分别设有一n+短路集电极区，p+集电区和n+发射区上方分别淀积有金属电极。本发明提供的器件克服了采用传统IGBT结构制作垂直GaN基逆导型IGBT器件时，内层p‑GaN无法激活的问题，并将集电极从背部转移到正面，使逆导型IGBT的制造工艺变得简单。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 gan 基逆导型 igbt 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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