[发明专利]一种半导体复合光阳极、制备方法及应用在审

专利信息
申请号: 202111124932.3 申请日: 2021-09-25
公开(公告)号: CN114016039A 公开(公告)日: 2022-02-08
发明(设计)人: 郭惠霞;张玉蓉;王珊;李亮亮;王晓童 申请(专利权)人: 西北师范大学
主分类号: C23F13/12 分类号: C23F13/12;C23C18/12
代理公司: 北京喆翙知识产权代理有限公司 11616 代理人: 孙娜
地址: 730000 甘肃*** 国省代码: 甘肃;62
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摘要: 发明公开了一种二元半导体复合光阳极、自组装形成的三元半导体复合光阳极、制备方法、及在光生阴极保护方面的应用。所述二元半导体复合光阳极为WO3/BiVO4,首先在FTO制备WO3种子层,其次制备WO3纳米板,然后制备BiVO4纳米颗粒得到二元半导体复合光阳极WO3/BiVO4;同时,所述的二元半导体复合光阳极WO3/BiVO4与电解液中的Na2S反应,原位生长Bi2S3,自组装得到三元半导体复合光阳极WO3/BiVO4/Bi2S3。相比纯WO3样品,本发明所述复合光阳极增强了对可见光的捕获能力,提高了光电流密度、电子空穴转移率、光电性能;对304SS具有更优异的光生阴极保护效果以及稳定性。
搜索关键词: 一种 半导体 复合 阳极 制备 方法 应用
【主权项】:
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