[发明专利]一种半导体复合光阳极、制备方法及应用在审
申请号: | 202111124932.3 | 申请日: | 2021-09-25 |
公开(公告)号: | CN114016039A | 公开(公告)日: | 2022-02-08 |
发明(设计)人: | 郭惠霞;张玉蓉;王珊;李亮亮;王晓童 | 申请(专利权)人: | 西北师范大学 |
主分类号: | C23F13/12 | 分类号: | C23F13/12;C23C18/12 |
代理公司: | 北京喆翙知识产权代理有限公司 11616 | 代理人: | 孙娜 |
地址: | 730000 甘肃*** | 国省代码: | 甘肃;62 |
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摘要: |
本发明公开了一种二元半导体复合光阳极、自组装形成的三元半导体复合光阳极、制备方法、及在光生阴极保护方面的应用。所述二元半导体复合光阳极为WO |
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搜索关键词: | 一种 半导体 复合 阳极 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
暂无信息
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