[发明专利]一种具有低水平发散角的GaAs基大功率激光器及其制备方法在审
| 申请号： | 202111125650.5 | 申请日： | 2021-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN115864132A | 公开（公告）日： | 2023-03-28 |
| 发明（设计）人： | 赵凯迪;朱振;辛欣 | 申请（专利权）人： | 山东华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/22 | 分类号： | H01S5/22;H01S5/065 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 陈桂玲 |
| 地址： | 250101 山东省济*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明涉及一种具有低水平发散角的GaAs基大功率激光器及其制备方法。所述激光器包括从下至上依次设置的N面金属电极接触层、衬底、P面金属电极接触层、N限制层、下波导层、量子阱结构的有源层、上波导层、P限制层、SiO |
||
| 搜索关键词： | 一种 具有 水平 发散 gaas 大功率 激光器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山东华光光电子股份有限公司，未经山东华光光电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111125650.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
