[发明专利]一种近阈值供电电压下数字标准单元的设计方法在审
| 申请号： | 202111126665.3 | 申请日： | 2021-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN113868991A | 公开（公告）日： | 2021-12-31 |
| 发明（设计）人： | 刘政林;黎振豪;于润泽;邓茜 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | G06F30/331 | 分类号： | G06F30/331;G06F17/12 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 尹丽媛;李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种近阈值供电电压下数字标准单元的设计方法，属于低功耗芯片设计技术领域。本发明首先确定最佳供电电压；接着，在最优供电电压下，通过仿真得到每一MOS管的沟道长度与目标函数的曲线关系，由此确定每一MOS管的最优沟道长度；然后，将最优供电电压和每一MOS管的最优沟道长度代入对应的近阈值供电电压下的MOS管电流模型；并基于上拉网络与下拉网络的导通电流相等，构建包括每一MOS管的沟道宽度和阈值电压的方程组；最后，利用数值方法求解方程组，得到每一MOS管的最优沟道宽度。本发明可以在保证极高准确度的前提下，快速衡量数字标准单元的时序特征，显著降低近阈值供电电压下的数字标准单元库开发的时间成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阈值 供电 压下 数字 标准 单元 设计 方法 | ||
【主权项】：
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