[发明专利]一种自支撑碳基电容器靶及其制备方法在审
| 申请号： | 202111128002.5 | 申请日： | 2021-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN113873738A | 公开（公告）日： | 2021-12-31 |
| 发明（设计）人： | 彭丽萍;李朝阳;杨奇;樊龙;罗跃川;舒琳;湛治强;蒋涛;王雪敏 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 |
| 主分类号： | H05G2/00 | 分类号： | H05G2/00;C23C14/35;C23C14/06;C23C14/16;C23C14/28;C23C14/58 |
| 代理公司： | 北京远大卓悦知识产权代理有限公司 11369 | 代理人： | 贾晓燕 |
| 地址： | 621000 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种自支撑碳基电容器靶及其制备方法，包括：利用直流磁控溅射技术在硅基底上制备Cr膜，再制备铜膜作为牺牲层，以此为衬底，制备微米厚度的α‑C膜，利用光刻工艺、射频磁控溅射工艺、氧等离子体刻蚀工艺、湿法刻蚀工艺制备具有表面结构的α‑C膜；利用脉冲激光沉积技术在抛光铜箔上制备DLC膜；将DLC膜的抛光铜箔熔去，并在去离子水中清洗多次；用有表面结构的α‑C膜去捞漂浮在水面的DLC膜，然后溶解铜膜，得到碳基双层膜；把碳基双层膜在去离子水中清洗多次，用带圆孔的靶架捞出碳基双层膜，自然挥发干，得到自支撑碳基电容器靶。本发明能有效地实现自支撑碳基双层结构靶，操作方便，且该自支撑碳基电容器靶，有望在物理实验中取得预期结果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 支撑 电容器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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