[发明专利]一种金属辅助光化学刻蚀碳化硅纳米孔阵列的加工方法在审
| 申请号： | 202111130234.4 | 申请日： | 2021-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN113871294A | 公开（公告）日： | 2021-12-31 |
| 发明（设计）人： | 陈云;李梓健;董善坤;施达创;陈新;侯茂祥;高健;陈桪 | 申请（专利权）人： | 广东工业大学 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/308;H01L21/311;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 佛山市禾才知识产权代理有限公司 44379 | 代理人： | 刘羽波;陈嘉琦 |
| 地址： | 510062 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及碳化硅刻蚀加工领域，尤其涉及一种金属辅助光化学刻蚀碳化硅纳米孔阵列的加工方法，本发明通过在碳化硅晶圆片底面镀上贵金属层作为催化层和在碳化硅晶圆片的顶面沉积一层不与刻蚀剂反应的金属掩模，以实现高效的金属辅助光化学刻蚀，并且通过自组装不同直径的聚苯乙烯纳米微球来控制碳化硅纳米孔间距，通过控制等离子体刻蚀聚苯乙烯纳米微球的时间来控制碳化硅纳米孔孔径，通过控制金属辅助光化学刻蚀时间来控制孔深，以实现可控地制备碳化硅纳米孔阵列，解决了现有金属辅助光化学刻蚀的刻蚀速率缓慢的问题，和解决目前没有利用的金属辅助光化学刻蚀碳化硅纳米孔阵列的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 辅助 光化学 刻蚀 碳化硅 纳米 阵列 加工 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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