[发明专利]超晶格超大规模集成电路有效
| 申请号： | 202111131217.2 | 申请日： | 2019-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN113871459B | 公开（公告）日： | 2023-09-12 |
| 发明（设计）人： | 林和 | 申请（专利权）人： | 林和 |
| 主分类号： | H01L29/15 | 分类号： | H01L29/15;H01L29/732;H01L29/735;H01L29/78;H01L29/86;H01L29/8605;H01L29/93;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京冠和权律师事务所 11399 | 代理人： | 朱健 |
| 地址： | 北京市海淀区*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种超晶格超大规模集成电路，包括：衬底；过渡层，设置在所述衬底上方；元器件层，设置在所述过渡层上方，元器件层为利用基于超晶格集成电路二维电子气与二维空穴气的特殊性能设计的器件来构建超晶格集成电路。在过渡层上方利用基于超晶格集成电路二维电子气与二维空穴气的特殊性能设计的器件来构建超晶格集成电路，设计成超晶格超大规模集成电路(MDMFSL‑ULSI:Multi‑Dimension Multi‑Functional Superlattice Ultra‑Large Scale Integrated Circuit)是以二维电子气与二维空穴气超晶格与量子井为基础并具有超高速高可靠抗辐射抗高低温等特征，而且设计效率高，制造工艺周期短，成本低，将极大地改进以上传统硅与化合物集成电路的不足之处。 | ||
| 搜索关键词： | 晶格 超大规模集成电路 | ||
【主权项】：
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