[发明专利]半导体器件的测试方法、设备及系统在审
| 申请号： | 202111131260.9 | 申请日： | 2021-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN113740697A | 公开（公告）日： | 2021-12-03 |
| 发明（设计）人： | 宋王琴 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 刘丹;臧建明 |
| 地址： | 230011 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供一种半导体器件的测试方法、设备及系统。其中，待测半导体器件设置有一个源极接触和一个漏极接触，在源极接触上形成有第一金属层，在漏极接触上形成有第二金属层，第一金属层的面积大于源极接触的表面，第二金属层的面积大于漏极接触的表面；该方法包括：控制探针台的第一探针和第二探针分别与第一金属层的两个不同位置连接、第三探针和第四探针分别与第二金属层的两个不同位置连接；根据检测到的第一探针和第四探针之间的电压，以及第二探针和第三探针之间的电流，确定待测半导体器件的饱和电流。该方法提高了半导体器件饱和电流的测试结果的准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 测试 方法 设备 系统 | ||
【主权项】：
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