[发明专利]一种化学气相沉积系统在审
| 申请号： | 202111132377.9 | 申请日： | 2021-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN113818000A | 公开（公告）日： | 2021-12-21 |
| 发明（设计）人： | 丁欣 | 申请（专利权）人： | 上海埃延管理咨询合伙企业（有限合伙） |
| 主分类号： | C23C16/02 | 分类号： | C23C16/02;C23C16/44;C23C16/46 |
| 代理公司： | 上海智晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31313 | 代理人： | 张东梅 |
| 地址： | 201914 上海市崇明区横*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体制造技术领域，提出一种化学气相沉积系统，包括：气密腔体，其容纳基座、衬里以及均质面光源加热器；基座，其被配置为承载衬底；衬里，其单独或者与所述基座共同包围衬底；均质面光源加热器，其被配置为对所述衬底进行均质加热；以及送气装置，其被配置为将反应气体运送至衬里内与衬底发生沉积反应。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 化学 沉积 系统 | ||
【主权项】：
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
