[发明专利]低杂质含量的多元素掺杂正极材料前驱体的制备方法及其应用有效
| 申请号： | 202111133765.9 | 申请日： | 2021-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN113562777B | 公开（公告）日： | 2021-11-26 |
| 发明（设计）人： | 苗小欢;张海艳;胡志兵;吴泽盈;孟立君;刘宙;苏帅;熊意球 | 申请（专利权）人： | 金驰能源材料有限公司;湖南长远锂科新能源有限公司;湖南长远锂科股份有限公司 |
| 主分类号： | C01G51/06 | 分类号： | C01G51/06;C01G51/04;H01M4/525;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 北京天盾知识产权代理有限公司 11421 | 代理人： | 李琼芳 |
| 地址： | 410203 湖南省长沙*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明属于电池材料技术领域，公开了一种低杂质含量的多元素掺杂碳酸钴和四氧化三钴的制备方法及其应用。本发明创造性的发现，在多元素掺杂碳酸钴湿法共沉淀过程中通过适当控制晶种粒度，巧妙的引入两段水洗工艺，并结合体系含固量的有效搭配，在确保材料具有高振实密度的同时，有效降低材料中S等杂质含量，材料的电性能有明显提升。 | ||
| 搜索关键词： | 杂质 含量 多元 掺杂 正极 材料 前驱 制备 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
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