[发明专利]半模加脊方同轴基片集成波导互连装置在审
| 申请号： | 202111135984.0 | 申请日： | 2021-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN113871829A | 公开（公告）日： | 2021-12-31 |
| 发明（设计）人： | 李晓春;宁肯;毛军发 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | H01P3/18 | 分类号： | H01P3/18 |
| 代理公司： | 上海段和段律师事务所 31334 | 代理人： | 李佳俊;郭国中 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半模加脊方同轴基片集成波导互连装置，包括自上而下依次设置的金属层L1，介质层L2，金属层L3，介质层L4和金属层L5；在金属层L1与金属层L5之间设置有金属化通孔阵列，所述金属层L3包含一非接地金属和一接地金属，所述接地金属为所述半模加脊方同轴基片集成波导互连装置的脊，所述接地金属被金属化通孔贯穿；所述金属层L3的非接地金属构成内导体；所述金属层L1、金属层L3的接地金属、金属层L5、金属化通孔阵列构成外导体；介质层L2与介质层L4采用介电常数不同的两种介质。本发明使用了两个介电常数，并作为设计参数，使得设计自由度有显著的提升，更能适应复杂的复合介质环境的互连需求。 | ||
| 搜索关键词： | 半模加脊方 同轴 集成 波导 互连 装置 | ||
【主权项】：
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