[发明专利]一种碳化硅籽晶的清洗方法在审
| 申请号： | 202111136639.9 | 申请日： | 2021-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN113862792A | 公开（公告）日： | 2021-12-31 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | C30B35/00 | 分类号： | C30B35/00;C30B29/36;B08B1/00;B08B3/04 |
| 代理公司： | 哈尔滨市伟晨专利代理事务所(普通合伙) 23209 | 代理人： | 姜俊婕 |
| 地址： | 150000 黑龙江省哈尔滨市松北区智谷二街3*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种碳化硅籽晶的清洗方法，属于碳化硅制备技术领域。为解决现有碳化硅籽晶清洗方法清洗不当，造成次品率提高的问题，本发明提供了一种碳化硅籽晶的清洗方法，包括碳化硅籽晶抛光后使用清水冲洗碳化硅籽晶表面的抛光液、使用氢氟酸溶液清洗碳化硅籽晶，然后用QDR方式洗净残留的氢氟酸溶液、使用硫酸与双氧水的混合溶液清洗碳化硅籽晶和使用PVA刷头对碳化硅籽晶正反面进行物理摩擦刷洗。本发明提供的碳化硅籽晶的清洗方法能够有效的清洗碳化硅籽晶，包括碳化硅籽晶表面的纤维杂质和大颗粒，清洗后的碳化硅籽晶没有崩、坑、油、脏污和划伤缺陷，能够减少次品率，保证碳化硅单晶和器件的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 籽晶 清洗 方法 | ||
【主权项】：
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